כיצד להשתמש במולטימטר כדי למצוא את HFE של טרנזיסטור?

1, להבין את המושגים הבסיסיים של HFE
ראשית, עלינו להבהיר את ההגדרה של HFE. HFE מתייחס ליחס בין זרם הקולטור IC לזרם הבסיס IB של טרנזיסטור במעגל פולט משותף, כלומר HFE=IC/IB. פרמטר זה משקף את יכולתו של הטרנזיסטור להמיר שינויים קטנים בזרם הבסיס לשינויים גדולים יותר בזרם האספן.
2, עבודת הכנה
לפני תחילת המדידה, ודא שיש לך מולטימטר מתפקד וטרנזיסטור לבדיקה. בינתיים, מכיוון שמדידה ישירה של HFE דורשת מעגלי בדיקה ספציפיים, ייתכן שיהיה עליך להכין כמה רכיבים נוספים כגון נגדים, ספקי כוח וחוטי חיבור כדי לבנות סביבת בדיקה פשוטה.
3, בנה מעגל בדיקה
כדי למדוד HFE, עלינו לבנות מעגל בדיקה המבוסס על חיבור הפולט המשותף של הטרנזיסטור. מעגל זה כולל בדרך כלל ספק כוח DC (המשמש לספק מתח הטיה לטרנזיסטור), נגד עומס (מחובר בין הקולט של הטרנזיסטור לספק הכוח), ונגד או פוטנציומטר להתאמת זרם הבסיס.
חבר את ספק הכוח והעומס: ראשית, חבר את הקוטב החיובי של ספק הכוח DC לקולט של הטרנזיסטור, ואת הקוטב השלילי לקרקע (או הקוטב השלילי) של המעגל. לאחר מכן, חבר נגד עומס בין האספן של הטרנזיסטור למסוף השלילי של ספק הכוח.
הגדר הטיית בסיס: לאחר מכן, חבר את הבסיס לקוטב החיובי של ספק הכוח באמצעות נגד או פוטנציומטר כדי לספק את זרם הבסיס הדרוש. יש להתאים את גודל הנגד הזה בהתאם למאפייני הטרנזיסטור כדי להבטיח שהוא פועל באזור ההגברה.
חבר מולטימטר: חבר בדיקה אחת של המולטימטר לפולט של הטרנזיסטור ואת הגשושית השנייה לאדמה (או שלילית) כדי למדוד את זרם הפולט IE (למרות שזו לא מדידה ישירה של HFE, IE קשורה גם ל-IC וגם IB). עם זאת, באופן ישיר יותר, ייתכן שתזדקק למולטימטר נוסף כדי לנטר את זרם הבסיס IB (שבדרך כלל קשה יותר למדוד ישירות, אך ניתן להעריך בעקיפין על ידי התאמת התנגדות הטיית הבסיס וצפייה בשינויים בזרם הקולטור IC).
4, מדידה עקיפה של HFE
בשל הקושי במדידה ישירה של HFE, אנו משתמשים בדרך כלל בשיטות עקיפות להערכתו.
התאם את זרם הבסיס: צפה בשינוי בזרם האספן IC על ידי שינוי הערך של נגד הטיית הבסיס. שימו לב שככל שה-IB גדל, גם ה-IC אמור לעלות באופן פרופורציונלי, אך פרופורציה זו (כלומר HFE) תושפע מהפרמטרים הפנימיים של תנאי הטרנזיסטור והמעגל.
רשום נתונים: רשום את ערכי זרם האספן המתאימים במספר זרמי בסיס שונים. לאחר מכן, חשב את ערכי HFE (IC/IB) בנקודות אלו. עקב שגיאות אפשריות במדידות בפועל, מומלץ לקחת את הממוצע של מספר נקודות כדי לקבל הערכה מדויקת יותר של HFE.
בהתחשב בהשפעת הטמפרטורה: ראוי לציין שה-HFE של הטרנזיסטור ישתנה עם הטמפרטורה. לכן, חשוב לשמור על טמפרטורת סביבה יציבה במהלך תהליך המדידה ולתעד את מידע הטמפרטורה לאחר השלמת המדידה.
5, השתמש בכלים מיוחדים
למרות שמולטימטר יכול להעריך בעקיפין את HFE של טרנזיסטור, דרך מדויקת ונוחה יותר היא להשתמש בבודק טרנזיסטור ייעודי או במכשיר גרף. מכשירים אלה יכולים למדוד ולהציג ישירות את HFE ופרמטרים מרכזיים אחרים של טרנזיסטורים, מה שמספק נוחות רבה למהנדסי אלקטרוניקה.
https://www.trrsemicon.com/transistor/isc-thyristors-bt169gw.html